图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 最大门源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 725@10V |
| 最大漏源电压 | 650 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 62500 |
| 最大连续漏极电流 | 5.8 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Dual Common Source |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 5.8 A |
| 系列 | XPL65R725 |
| RDS（ON） | 0.653 Ohms |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | VSON-5 |
| 栅极电荷Qg | 20 nC |
| 零件号别名 | SP000949266 |
| 上升时间 | 8 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| 宽度 | 8 mm |
| Qg - Gate Charge | 20 nC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | CoolMOS |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 5.8 A |
| 长度 | 8 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 725 mOhms |
| 身高 | 1.1 mm |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| Pd - Power Dissipation | 62.5 W |
| 技术 | Si |
IPL65R725CFDAUMA1相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家